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GIGABYTE ASM2NE6100TTTD M.2 1TB

159,95

 Gigabyte propose Le premier contrôleur au monde PCIe 4.0×4, Phison PS5016-E16 gravé en 28nm. Son processus de fabrication permet au PS5016-E16 d’être compatible ECC en adoptant la technologie 3D TLC NAND. PS5016-E16 dispose de 8 canaux NAND avec 32 CE, une mémoire cache DRAM DDR4 et propose une interface PCIe 4.0×4. Sur le plan des innovations, cette puce est compatible avec le protocole NVMe 1.3, le système de correction des erreurs LDPC et Wear Leveling ainsi qu’avec la technologie Over-Provision pour une stabilité et une durabilité totale.

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Performances Xtreme

Grâce à son contrôleur PCIe 4.0, notre SSD AORUS NVMe Gen 4 offre des vitesses de lecture séquentielle de 5 000 Mo/s et d’écriture séquentielle de 4 400 Mo/s. La vitesse de lecture séquentielle des SSDs PCIe 4.0 est 40% plus rapide que les SSDs PCIe 3.0. Offrez-vous des performances uniques pour jouer, travailler, streamer et pour concevoir vos travaux en 3D.

GIGABYTE ASM2NE6100TTTD M.2 1TB
GIGABYTE ASM2NE6100TTTD M.2 1TB

Protection complète par radiateur en cuivre pour des performances uniques de notre SSD PCIe 4.0

Le radiateur en cuivre couvrant la totalité de notre SSD permet de transférer la chaleur émise par le contrôleur les NAND Flash sur l’avant et l’arrière de notre produit. Notre solution de refroidissement permet d’accroitre de 69% les performances de dissipation de notre disque face aux solutions standards pour des performances en écriture/lecture exceptionnelles.

GIGABYTE ASM2NE6100TTTD M.2 1TB

 

Capacité

1 To

Interface

PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.3

 

Dimensions (L x l x H)

80.5 x 11.25 x 23.5 mm

 

Vitesses de lecture séquentielle

5000MB/s

 

Vitesses d’écriture séquentielle

4400MB/s

GIGABYTE ASM2NE6100TTTD M.2 1TB

 

 

Format

M.2 (Type 2280)

 

Capacité

1 To

 

Interface de Transfert

PCI-Express 4.0×4, NVMe 1.3

 

Type de mémoire Flash

3D TLC Toshiba BiCS4
 

 

Vitesse de lecture

Jusqu’à 5000 Mo/s

 

Vitesse d’écriture

Jusqu’à 4400 Mo/s

 

Lecture aléatoire de 4 Ko IOPS max.

700 000 IOPS

 

Écriture aléatoire de 4 Ko IOPS max.

750 000 IOPS
 

 

MTBF

1.77 Million d’heures

 

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